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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZTX692BSTZ
ZTX692BSTZ PDF预览

ZTX692BSTZ

更新时间： 2024-01-22 03:14:30
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 66K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX692BSTZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.16
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：70 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JESD-30 代码：R-PSIP-W3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

ZTX692BSTZ 数据手册

 浏览型号ZTX692BSTZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZTX692BSTZ的Datasheet PDF文件第3页 
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 1 – APRIL 94  
ZTX692B  
FEATURES  
*
*
*
70 Volt VCEO  
Gain of 400 at IC=500mA  
Very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
*
*
*
*
Darlington replacement  
Relay drivers  
C
B
E
Battery powered circuits  
Motor drivers  
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
70  
70  
5
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Peak Pulse Current  
2
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation*  
IC  
1
A
Ptotp  
Ptot  
1.5  
W
Power Dissipation at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
1
5.7  
W
mW/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
70  
70  
5
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
0.1  
0.1  
VCB=55V  
µA  
µA  
IEBO  
VEB=4V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
0.15  
0.5  
V
V
IC=0.1A, IB=0.5mA*  
IC=1A, IB=10mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
0.9  
V
IC=1A, IB=10mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
0.9  
V
IC=1A, VCE=2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
500  
400  
150  
IC=100mA, VCE=2V*  
IC=500mA, VCE=2V*  
IC=1A, VCE=2V*  
3-241  
123

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