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YA852C15R

更新时间： 2024-09-17 07:46:27

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富士电机 - FUJI		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
6页	640K
描述
Schottky Barrier Diode

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YA852C15R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	55 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	150 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE

YA852C15R 数据手册

http://www.fujisemi.com

FUJI Diode

YA852C15R

Schottky Barrier Diode

Maximum Rating and Characteristics

Maximum ratings (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Ratings

Units

Repetitive peak reverse voltage

RRM

150

50Hz Square wave duty =1/2

Tc = 124˚C

Average output current

10*

Non-repetitive forward surge current**

Operating junction temperature

Storage temperature

FSM

Sine wave, 10ms 1shot

150

˚C

Tstg

-40 to +150

Note* Out put current of center tap full wave connection.

Note** Rating per element

Electrical characteristics (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Maximum

0.96

Units

Forward voltage***

Reverse current***

Thermal resistance

Note*** Rating per element

I = 5 A

=VRRM

150

µA

Rth(j-c)

Junction to case

2.0

˚C/W

Mechanical characteristics

Item

Conditions

Maximum

0.3 to 0.5

2.0

Units

N•m

Mounting torque

Approximate mass

Recommended torque

12 3 4 5 6

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