Datasheet > YA868C12R

YA868C12R

更新时间： 2024-11-09 07:46:27

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	55K
描述
High Voltage Schottky barrier diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

YA868C12R 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220AB, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.74
应用：	HIGH VOLTAGE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	225 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	120 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

YA868C12R 数据手册

(120V / 30A )

YA868C12R (30A)

[0401]

High Voltage Schottky barrier diode

Outline drawings, mm

4.5^±0.2

10^+0.5

Ø3.6^±0.2

Major characteristics

Characteristics YA868C12R Units Condition

V^RRM

V^F

120

0.88

Tc=25°C MAX.

1.2

0.4

0.8

2.54

2.7

5.08

Package : TO-220

Features

Applications

Epoxy resin UL : V-0

Low VF

High frequency operation

DC-DCconverters

AC adapter

High Voltage

Connection diagram

Center tap connection

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Symbol

V^RSM

VRRM

Conditions

Item

Rating

120

Unit

Repetitive peak surge reverse voltage

Repetitive peak reverse voltage

Average output current

tw=500ns, duty=1/40

120

Square wave, duty=1/2

Tc=122°C

Sine wave

10ms 1shot

IFSM

Non-repetitive surge current **

Operating junction temperature

Storage temperature

225

+150

°C

Tstg

-40 to +150

* Out put current of center tap full wave connection

**Rating per element

Electrical characteristics (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Item

Symbol

Max.

0.88

Unit

Conditions

I^FM=15A

Forward voltage drop

Reverse current

VR=VRRM

200

1.0

µA

Junction to case

Rth(j-c)

Thermal resistance

°C/W

Mechanical characteristics

Mounting torque

Recommended torque

0.3 to 0.5

N·m

Approximate mass

12 3

中文翻译

下载PDF

与YA868C12R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
YA868C15R	FUJI	获取价格	High Voltage Schottky barrier diode
YA869C04R	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
YA869C06R	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
YA869C08R	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
YA869C10R	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
YA869C12R	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
YA869C15R	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
YA872C10R	FUJI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220AB, 3
YA872C12R	FUJI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220AB, 3
YA872C15R	FUJI	获取价格	DISCON