YA858C15R

更新时间： 2024-11-09 07:46:27

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富士电机 - FUJI		整流二极管肖特基二极管局域网
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Schottky Barrier Diode

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YA858C15R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	110 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	150 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

YA858C15R 数据手册

http://www.fujisemi.com

FUJI Diode

YA858C15R

Schottky Barrier Diode

Maximum Rating and Characteristics

Maximum ratings (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Ratings

Units

Repetitive peak reverse voltage

RRM

150

50Hz Square wave duty =1/2

Tc = 94˚C

Average output current

30*

Non-repetitive forward surge current**

Operating junction temperature

Storage temperature

FSM

Sine wave, 10ms 1shot

110

150

˚C

Tstg

-40 to +150

Note* Out put current of center tap full wave connection.

Note** Rating per element

Electrical characteristics (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Maximum

1.13

Units

Forward voltage***

Reverse current***

Thermal resistance

Note*** Rating per element

I =15 A

=VRRM

200

µA

Rth(j-c)

Junction to case

1.25

˚C/W

Mechanical characteristics

Item

Conditions

Maximum

0.3 to 0.5

2.0

Units

N•m

Mounting torque

Approximate mass

Recommended torque

12 3 4 5 6

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