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WTM303N056L

更新时间： 2023-12-06 20:08:47

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先科 - SWST		晶体
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7页	595K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM303N056L 数据手册

WTM303N056L-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low R_DS(ON)

Gate

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Source

1. Source 2. Source 3. Source 4. Gate

5. Drain 6. Drain 7. Drain 8. Drain

DFN3030 Plastic Package

Application

• DC-DC converters

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

5.6 @ V_GS= 10 V

6.8 @ V_GS= 4.5 V

1.4

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

42 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Continuous Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

200

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

℃

P_tot

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

R_θJA

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs,Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾.Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 31 A, V_GS= 10 V.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 01/09/2022 Rev: 02

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