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WTM303N095LS

更新时间： 2023-12-06 20:02:33

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先科 - SWST		晶体
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7页	947K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM303N095LS 数据手册

WTM303N095LS-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low R_{DS( ON )}

• Low Input Capacitance

• Low Input/Output Leakage

Gate

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Source

1. Source 2. Source 3. Source 4. Gate

5. Drain 6. Drain 7. Drain 8. Drain

DFN3030 Plastic Package

Application

• Motor/Body Load Control

• Load Switch

• DC-DC converters and Off-line UPS

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

7 @ V_GS= 10 V

11 @ V_GS= 4.5 V

1.6

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

24 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

I_D

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Single Pulse Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

I_DM

I_AS

120

E_AS

T_c= 25℃

T_c= 100℃

P_D

Power Dissipation

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 19 A, V_GS= 10 V.

℃

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 07/09/2022 Rev: 05

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