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WTM304N065L

更新时间： 2023-12-06 20:07:54

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先科 - SWST		晶体
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6页	1602K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM304N065L 数据手册

WTM304N065L-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

Gate

RoHS compliant

Source

1. Source 2. Source 3. Source 4. Gate

5. Drain 6. Drain 7. Drain 8. Drain

DFN3030 Plastic Package

Applications

• synchronous buck converter

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

6.5 @ V_GS= 10 V

9 @ V_GS= 4.5 V

1.4

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

59 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current - Continuous

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Single-Pulse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

I_DM

I_AS

140

32.9

E_AS

54.1

℃

T_c= 25℃

P_D

36.7

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

3.4

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 32.9 A, V_GS= 10 V.

℃

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 09/01/2023 Rev: 03

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