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Datasheet > 存储 > EPROM> WS57C45-35T
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WS57C45-35T

更新时间： 2024-09-08 22:40:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
9页 80K
描述
HIGH-SPEED 2K x 8 REGISTERED CMOS PROM/RPROM

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WS57C45-35T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.300 INCH, CERDIP-24
针数：24Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.61
风险等级：5.41Is Samacsys：N
最长访问时间：15 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-GDIP-T24JESD-609代码：e3
长度：32.005 mm内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：UVPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：24字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2KX8输出特性：REGISTERED
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：WDIP
封装等效代码：DIP24,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE, WINDOW并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：5 V
编程电压：13.5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大待机电流：0.02 A
子类别：EPROMs最大压摆率：0.082 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

WS57C45-35T 数据手册

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WS57C45  
HIGH-SPEED 2K x 8 REGISTERED CMOS PROM/RPROM  
KEY FEATURES  
• Ultra-Fast Access Time  
— 25 ns Setup  
— 12 ns Clock to Output  
• DESC SMD Nos. 5962-88735/5962-87529  
• Pin Compatible with AM27S45 and  
CY7C245  
• Low Power Consumption  
• Fast Programming  
• Immune to Latch-UP  
— Up to 200 mA  
• Programmable Synchronous or  
Asynchronous Output Enable  
• ESD Protection Exceeds 2000 V  
• Programmable Asynchronous Initialize  
Register  
GENERAL DESCRIPTION  
The WS57C45 is an extremely High Performance 16K UV Erasable Registered CMOS RPROM. It is a direct  
drop-in replacement for such devices as the AM27S45 and CY7C245.  
To meet the requirements of systems which execute and fetch instructions simultaneously, an 8-bit parallel data  
register has been provided at the output which allows RPROM data to be stored while other data is being  
addressed.  
An asynchronous initialization feature has been provided which enables a user programmable 2049th word to be  
placed on the outputs independent of the system clock. This feature can be used to force an initialize word or  
provide a preset or clear function.  
A further advantage of the WS57C45 over Bipolar PROM devices is the fact that it utilizes a proven EPROM  
technology. This enables the entire memory array to be tested for switching characteristics and functionality after  
assembly. Unlike devices which cannot be erased, every WS57C45 RPROM in a windowed package is 100%  
tested with worst case test patterns both before and after assembly.  
PIN CONFIGURATION  
TOP VIEW  
Chip Carrier  
CERDIP/Plastic DIP/  
Flatpack  
NC  
A
A
A
V
A
A
9
5
6
7
CC  
8
A
A
A
A
A
A
A
A
O
O
O
1
V
A
A
A
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
CC  
8
2
4
3
2
26  
25  
28 27  
1
3
A
A
A
A
A
5
6
7
8
9
9
A
4
3
2
1
0
10  
INIT/V  
4
10  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
PP  
OE/OE  
5
INIT/V  
PP  
OE/OE  
S
6
S
CP/PGM  
NC  
7
CP/PGM  
8
O
O
O
O
O
NC  
7
6
5
4
3
10  
11  
12 13 14  
O
7
9
O
0
O
6
10  
11  
12  
16  
18  
15  
17  
O
GND  
O
O
NC O  
O
4 5  
1
2
3
GND  
PRODUCT SELECTION GUIDE  
PARAMETER  
WS57C45-25  
WS57C45-35  
WS57C45-45  
Set Up Time (Max)  
25 ns  
12 ns  
35 ns  
15 ns  
45 ns  
25 ns  
Clock to Output (Max)  
2-21  
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1234567...9

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与WS57C45-35T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
WS57C45-35TMB STMICROELECTRONICS

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