是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | 针数: | 66 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.3 |
最长访问时间: | 55 ns | 其他特性: | USER CONFIGURABLE AS 512K X 8 |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 | 长度: | 27.3 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 66 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX32 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.6 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 27.3 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WS128K32N-55H1M | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module | |
WS128K32N-55H1MA | MICROSEMI |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX32, 55ns, CMOS, CPGA66, 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HI | |
WS128K32N-55H1MA | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX32, 55ns, CMOS, CPGA66, 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HI | |
WS128K32N-55H1Q | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module | |
WS128K32N-55HI | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module | |
WS128K32N-55HIE | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 55ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP | |
WS128K32N-55HM | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module | |
WS128K32N-55HQ | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module | |
WS128K32N-55HQE | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 55ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP | |
WS128K32N-55HSC | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 55ns, CMOS, CHIP66, |