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WNS30H100C PDF预览

WNS30H100C

更新时间： 2022-02-26 14:17:04
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瑞能 - WEEN /
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描述
Dual power Schottky diode

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WNS30H100C 数据手册

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WeEn Semiconductors  
WNS30H100C  
Dual power Schottky diode  
ala2-004  
ala2-003  
4
3
2
18  
10  
I
I
F(AV)  
(A)  
FSM  
134°C  
(A)  
15  
12  
9
10  
10  
6
I
I
FSM  
F
t
3
t
p
T
= 25 °C max  
j(init)  
0
-50  
10  
10  
-5  
-4  
-3  
-2  
0
50  
100  
150  
200  
(°C)  
10  
10  
10  
T
mb  
t (s)  
p
Fig. 3. Average forward current as a function of  
mounting base temperature; maximum values; per  
diode  
Fig. 4. Non-repetitive peak forward current as a function  
of pulse width; sinusoidal waveform; maximum values;  
per diode  
©
WNS30H100C  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
WeEn Semiconductors Co., Ltd. 2019. All rights reserved  
Product data sheet  
26 April 2019  
4 / 11  
 
 
1234567...11

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