是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | QFP, QFP68,.99SQ,50 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.71 | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | USER CONFIGURABLE AS 4M X 8 | 备用内存宽度: | 16 |
启动块: | BOTTOM | 数据轮询: | YES |
数据保留时间-最小值: | 20 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | S-CQFP-G68 | 长度: | 22.36 mm |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | FLASH MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 1,2,1,15 | 端子数量: | 68 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX32 | |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP68,.99SQ,50 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
编程电压: | 3.3 V | 座面最大高度: | 3.51 mm |
部门规模: | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流: | 0.0002 A |
最大压摆率: | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 22.36 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WF1M32B-100G2UC3A | WEDC |
获取价格 |
Flash Module, 1MX32, 100ns, CQFP68, 0.140 X 0.140 INCH, 3.50 MM HEIGHT, CERAMIC, QFP-68 |
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WF1M32B-100G2UI3 | MICROSEMI |
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WF1M32B-100G2UI3 | MERCURY |
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WF1M32B-100G2UI3 | WEDC |
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WF1M32B-100G2UI3A | MERCURY |
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WF1M32B-100G2UM3 | MICROSEMI |
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WF1M32B-100G2UQ3A | MERCURY |
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