是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, | 针数: | 66 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.56 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | USER CONFIGURABLE 1M X 32; 1000000 ERASE/PROGRAM CYCLES; MINIMUM 20 YEARS DATA RETENTION | 启动块: | BOTTOM |
数据保留时间-最小值: | 20 | JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 |
长度: | 30.1 mm | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | FLASH MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 66 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX32 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
编程电压: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 6.22 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 30.1 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WF1M32B-100HI3A | WEDC |
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1Mx32 3.3V Flash Module | |
WF1M32B-100HI5 | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
WF1M32B-100HI5A | WEDC |
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Flash Module, 1MX32, 100ns, CPGA66, | |
WF1M32B-100HM3 | WEDC |
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1Mx32 3.3V Flash Module | |
WF1M32B-100HM3 | MICROSEMI |
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Flash, 1MX32, 100ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-66 | |
WF1M32B-100HM3A | WEDC |
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1Mx32 3.3V Flash Module | |
WF1M32B-100HM5 | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
WF1M32B-100HM5A | WEDC |
获取价格 |
Flash Module, 1MX32, 100ns, CPGA66, | |
WF1M32B-120G2TC3 | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module | |
WF1M32B-120G2TC3A | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |