是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | PGA, PGA66,11X11 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.56 | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | USER CONFIGURABLE 1M X 32; 1000000 ERASE/PROGRAM CYCLES; MINIMUM 20 YEARS DATA RETENTION | 启动块: | BOTTOM |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 20 |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 | 长度: | 30.1 mm |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | FLASH MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 1,2,1,15 | 端子数量: | 66 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX32 | |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA66,11X11 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
编程电压: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 6.22 mm | 部门规模: | 4K,2K,8K,16K |
最大待机电流: | 0.0002 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 30.1 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WF1M32B-100HC5 | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module |
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WF1M32B-100HC5A | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module |
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WF1M32B-100HI3 | WEDC |
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1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-100HI3A | WEDC |
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1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-100HI5 | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module |
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WF1M32B-100HI5A | WEDC |
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Flash Module, 1MX32, 100ns, CPGA66, |
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WF1M32B-100HM3 | WEDC |
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1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-100HM3 | MICROSEMI |
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Flash, 1MX32, 100ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-66 |
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WF1M32B-100HM3A | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-100HM5 | ETC |
获取价格 |
x32 Flash EEPROM Module |
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