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WCMA4008C1X

更新时间: 2022-09-11 11:37:51
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10页 176K
描述
512K x 8 Static RAM

WCMA4008C1X 数据手册

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WCMA4008C1X  
Switching Waveforms  
Read Cycle No.1[9, 10]  
t
RC  
ADDRESS  
t
AA  
t
OHA  
DATA OUT  
PREVIOUS DATA VALID  
DATA VALID  
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)[10, 11]  
ADDRESS  
CE  
t
RC  
t
ACE  
OE  
t
HZOE  
t
DOE  
t
HZCE  
t
LZOE  
HIGH  
IMPEDANCE  
HIGH IMPEDANCE  
DATA OUT  
DATA VALID  
t
LZCE  
t
PD  
t
PU  
V
CC  
50%  
50%  
SUPPLY  
I
CURRENT  
SB  
Notes:  
8. Full Device operatin requires linear VCC ramp from VDR to VCC(min) > 100 µs or stable at Vcc(min) > 100 µs.  
9. Device is continuously selected. OE, CE = VIL  
10. WE is HIGH for read cycle.  
.
11. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.  
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