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W25Q16DVSNIG

更新时间: 2024-11-10 12:01:35
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 闪存
页数 文件大小 规格书
81页 1120K
描述
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI

W25Q16DVSNIG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOIC-8Reach Compliance Code:compliant
风险等级:7.88最大时钟频率 (fCLK):104 MHz
数据保留时间-最小值:20耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:5 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
串行总线类型:SPI最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NOR TYPE宽度:4 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

W25Q16DVSNIG 数据手册

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W25Q16DV  
3V 16M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL AND QUAD SPI  
Publication Release Date: October 29, 2012  
Revision D  
- 1 -  

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