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W25Q16DVSSIG

更新时间: 2024-09-20 12:01:35
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华邦 - WINBOND 闪存
页数 文件大小 规格书
81页 1120K
描述
3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI

W25Q16DVSSIG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:7.99
Samacsys Description:Flash memory 16mbit最大时钟频率 (fCLK):104 MHz
数据保留时间-最小值:20耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:S-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:5.23 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:1
功能数量:1端子数量:8
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:16MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.3封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.16 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.025 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NOR TYPE宽度:5.23 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWARE

W25Q16DVSSIG 数据手册

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W25Q16DV  
3V 16M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL AND QUAD SPI  
Publication Release Date: October 29, 2012  
Revision D  
- 1 -  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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