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W25P222AD-4A

更新时间: 2024-11-14 22:11:27
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华邦 - WINBOND 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 1068K
描述
64K X 32 BURST PIPELINED HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

W25P222AD-4A 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:MO-136, TQFP-100
针数:100Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:4.5 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:32
功能数量:1端子数量:100
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大待机电流:0.005 A最小待机电流:3.15 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.25 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.15 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
宽度:14 mmBase Number Matches:1

W25P222AD-4A 数据手册

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