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W25P40-VSNI-G

更新时间: 2025-07-28 12:57:59
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 闪存
页数 文件大小 规格书
35页 1356K
描述
Flash, 4MX1, PDSO8, 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8

W25P40-VSNI-G 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):25 MHz数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:4.85 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:1湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:8
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/3.3 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.72 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.025 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
类型:NOR TYPE宽度:3.9 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

W25P40-VSNI-G 数据手册

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W25P10, W25P20 AND W25P40  
1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH 40MHZ SPI  
Formally NexFlash NX25P10, NX25P20 and NX25P40  
The Winbond W25P10/20/40 are fully compatible with the previous NexFlash  
NX25P10/20/40 Serial Flash memories.  
Publication Release Date: November 28, 2005  
Revision M  
- 1 -  

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8MX1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8, 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8
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