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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP16,.4 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.83 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 25 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 20 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 10.285 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 1 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8MX1 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP16,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.64 mm |
| 串行总线类型： | SPI | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.032 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 7.49 mm | 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| W25P80-VSFI-G | WINBOND |
获取价格 |
8MX1 FLASH 2.7V PROM, PDSO16, 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-16 |
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| W25P80VSI | WINBOND |
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8M-BIT AND 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY |
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| W25P80VSIG | WINBOND |
获取价格 |
8M-BIT AND 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY |
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| W25P80VSSI | WINBOND |
获取价格 |
8M-BIT AND 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY |
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| W25P80-VSSI | WINBOND |
获取价格 |
8MX1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8, 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
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| W25P80VSSIG | WINBOND |
获取价格 |
8M-BIT AND 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY |
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| W25P80-VSSI-G | WINBOND |
获取价格 |
8MX1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8, 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
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| W25Q128BV | WINBOND |
获取价格 |
3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q128BV_13 | WINBOND |
获取价格 |
3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
|
| W25Q128BVBJP TR | ETC |
获取价格 |
IC FLASH MEMORY 128MB |
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