W25Q128BVEIP

更新时间： 2024-11-15 08:09:03

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华邦 - WINBOND		闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
页数	文件大小	规格书
74页	756K
描述
3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI

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W25Q128BVEIP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SON	包装说明：	HVSON, SOLCC8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	104 MHz	数据保留时间-最小值：	20
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-N8
长度：	8 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128MX1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVSON
封装等效代码：	SOLCC8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	并行/串行：	SERIAL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.8 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000015 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	6 mm	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

W25Q128BV

3V 128M-BIT

SERIAL FLASH MEMORY WITH

DUAL AND QUAD SPI

Publication Release Date: April 01, 2011

Revision E

- 1 -

12 3 4 5 6 7...74

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W25Q128BVEJG	ETC	获取价格	IC FLASH MEMORY 128MB
W25Q128BVEJP	ETC	获取价格	IC FLASH MEMORY 128MB
W25Q128BVEJP TR	ETC	获取价格	IC FLASH MEMORY 128MB
W25Q128BVFIG	WINBOND	获取价格	3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI
W25Q128BVFIP	WINBOND	获取价格	3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI
W25Q128BVFJG TR	ETC	获取价格	IC FLASH MEMORY 128MB
W25Q128BVFJP TR	ETC	获取价格	IC FLASH MEMORY 128MB
W25Q128FV	WINBOND	获取价格	SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI
W25Q128FVAIF	WINBOND	获取价格	3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI
W25Q128FVAIG	WINBOND	获取价格	3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI