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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 41.91 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.33 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| W24L11-70LL | WINBOND |
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128K X 8 High Speed CMOS Static RAM |
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| W24L11Q-55LE | WINBOND |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
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| W24L11Q-70L | WINBOND |
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128K X 8 High Speed CMOS Static RAM |
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| W24L11Q-70LE | WINBOND |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
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| W24L11Q-70LL | WINBOND |
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128K X 8 High Speed CMOS Static RAM |
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| W24L11S-55L | WINBOND |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, SOP-32 |
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| W24L11S-70L | WINBOND |
获取价格 |
128K X 8 High Speed CMOS Static RAM |
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| W24L11S-70LE | WINBOND |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, SOP-32 |
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| W24L11S-70LL | WINBOND |
获取价格 |
128K X 8 High Speed CMOS Static RAM |
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| W24L11T-55L | WINBOND |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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