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VTB5041J

更新时间: 2024-01-14 07:10:30
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页数 文件大小 规格书
1页 123K
描述
VTB Process Photodiodes

VTB5041J 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83最大暗电源:0.1 nA
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C半导体材料:Silicon
子类别:Photo Diodes表面贴装:NO
Base Number Matches:1

VTB5041J 数据手册

  

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