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VT2080C-E3/4W PDF预览

VT2080C-E3/4W

更新时间： 2024-09-20 08:17:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 148K
描述
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VT2080C-E3/4W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.38
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：80 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VT2080C-E3/4W 数据手册

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New Product  
VT2080C, VFT2080C, VBT2080C, VIT2080C  
Vishay General Semiconductor  
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per  
JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and  
TO-262AA package)  
3
3
2
2
1
1
VT2080C  
VFT2080C  
TO-262AA  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
PIN 2  
CASE  
TO-263AB  
TYPICAL APPLICATIONS  
K
K
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
2
3
1
2
1
MECHANICAL DATA  
VBT2080C  
VIT2080C  
Case:  
TO-262AA  
TO-220AB,  
ITO-220AB,  
TO-263AB  
and  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
K
HEATSINK  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
IF(AV)  
2 x 10 A  
VRRM  
80 V  
100 A  
0.60 V  
150 °C  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: As marked  
IFSM  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
VF at IF = 10 A  
TJ max.  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL VT2080C VFT2080C VBT2080C VIT2080C UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
80  
20  
10  
V
per device  
per diode  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load per diode  
IFSM  
EAS  
100  
110  
1.0  
A
mJ  
A
Non-repetitive avalanche energy at TJ = 25 °C, L = 60 mH per diode  
Peak repetitive reverse current at tp = 2 µs, 1 kHz,  
TJ = 38 °C 2 °C per diode  
IRRM  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Document Number: 89166  
Revision: 08-Sep-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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与VT2080C-E3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VT2080CHM3/4W VISHAY

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 		DIODE 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VT2080CHM3-4W VISHAY

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 		Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT2080C-M3/4W VISHAY

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 		DIODE 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
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 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT2080S-M3/4W VISHAY

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 		DIODE 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA

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