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VT2080C-M3/4W

更新时间： 2024-11-08 19:58:07

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威世 - VISHAY		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
5页	144K
描述
DIODE 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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VT2080C-M3/4W 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.59
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	80 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VT2080C-M3/4W 数据手册

VT2080C, VIT2080C

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.52 V at I_F= 5 A

FEATURES

TMBS^®

• Trench MOS Schottky technology

TO-220AB

TO-262AA

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per

JESD 22-B106

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

VT2080C

VIT2080C

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

PIN 1

PIN 2

CASE

PIN 3

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB and TO-262AA

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

2 x 10 A

80 V

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS-compliant, and

V_RRM

commercial grade

I_FSM

100 A

0.60 V

150 °C

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_Fat I_F= 10 A

T_Jmax.

Polarity: as marked

Package

TO-220AB, TO-262AA

Common cathode

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

Diode variation

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VT2080C

VIT2080C

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

per device

per diode

Maximum average forward rectified current

(fig. 1)

I_F(AV)

I_FSM

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

100

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

10 000

V/μs

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-55 to +150

Revision: 09-Nov-17

Document Number: 89239

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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VT2080S	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT2080S_12	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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VT2080SHM3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VT2080SHM3-4W	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT2080S-M3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
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