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VT10200C-E3/4W PDF预览

VT10200C-E3/4W

更新时间： 2024-11-14 20:02:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 140K
描述
DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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VT10200C-E3/4W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：2.13
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.73 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VT10200C-E3/4W 数据手册

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New Product  
VT10200C, VFT10200C, VBT10200C, VIT10200C  
Vishay General Semiconductor  
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A  
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for  
TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)  
3
3
2
2
1
1
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
VT10200C  
VFT10200C  
PIN 1  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
PIN 3  
PIN 3  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
TO-263AB  
TO-262AA  
K
K
MECHANICAL DATA  
2
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and TO-262AA  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
3
1
2
1
VBT10200C  
VIT10200C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 1  
PIN 2  
K
HEATSINK  
PIN 3  
Polarity: As marked  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
IF(AV)  
2 x 5.0 A  
200 V  
VRRM  
IFSM  
80 A  
VF at IF = 5.0 A  
TJ max.  
0.65 V  
150 °C  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL VT10200C VFT10200C VBT10200C VIT10200C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
200  
10.0  
5.0  
V
per device  
per diode  
Maximum average forward rectified current  
(fig. 1)  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
EAS  
80  
30  
A
Non-repetitive avalanche energy  
at TJ = 25 °C, L = 60 mH per diode  
mJ  
Peak repetitive reverse current  
at tp = 2 μs, 1 kHz, TJ = 38 °C 2 °C per diode  
IRRM  
dV/dt  
VAC  
0.5  
10 000  
A
V/μs  
V
Voltage rate of change (rated VR)  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
1500  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 40 to + 150  
°C  
Document Number: 89177  
Revision: 09-Dec-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与VT10200C-E3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VT10200C-E3-4W VISHAY

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 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT10200C-M3 VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A
VT10200C-M3/4W VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGEN
VT10202C, VFT10202C, VBT10202C, VIT10202C VISHAY

获取价格

 		Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at I
VT10202C-M3/4W VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
VT10219000J0G AMPHENOL

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 		Barrier Strip Terminal Block
VT1045BP VISHAY

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 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VT1045BP-M3/4W VISHAY

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 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VT1045C VISHAY

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 		Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT1045C_11 VISHAY

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