5秒后页面跳转
VT10219000J0G PDF预览

VT10219000J0G

更新时间: 2024-11-15 04:07:47
品牌 Logo 应用领域
安费诺 - AMPHENOL /
页数 文件大小 规格书
1页 314K
描述
Barrier Strip Terminal Block

VT10219000J0G 数据手册

  
~
VT xx 2 1 x 0 00J0 G  
PDS: Rev :A  
STATUS:Released  
Printed: May 28, 2014  

与VT10219000J0G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VT1045BP VISHAY

获取价格

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VT1045BP-M3/4W VISHAY

获取价格

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VT1045C VISHAY

获取价格

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT1045C_11 VISHAY

获取价格

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT1045CBP VISHAY

获取价格

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VT1045CBP_12 VISHAY

获取价格

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT1045CBP-M3/4W VISHAY

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGEN
VT1045CBP-M3-4W VISHAY

获取价格

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VT1045CHM3 VISHAY

获取价格

Low forward voltage drop, low power losses
VT1045CHM3/4W VISHAY

获取价格

DIODE 5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAS