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VSB2045-M3/54

更新时间： 2024-11-13 12:27:07
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威世 - VISHAY 电池
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5页 84K
描述
Photovoltaic Solar Cell Protection Schottky Rectifier

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VSB2045-M3/54 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.68其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.5 V
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最大输出电流：6.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VSB2045-M3/54 数据手册

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VSB2045  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Photovoltaic Solar Cell Protection Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.30 V at IF = 5.0 A  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• High forward surge capability  
• ESD capability  
P600  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• TJ 200 °C max. in solar bypass mode application  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in solar cell junction box as a bypass diode for  
protection, using DC forward current without reverse bias.  
IF(AV)  
20 A  
45 V  
VRRM  
IFSM  
250 A  
0.42 V  
150 °C  
200 °C  
VF at IF = 20 A  
OP max. (AC mode)  
MECHANICAL DATA  
Case: P600  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
T
TJ max. (DC forward current)  
Base P/N-M3  
-
halogen-free, RoHS-compliant, and  
commercial grade  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VSB2045  
V2045  
45  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
V
A
(1)  
IF(AV)  
20  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
(2)  
IF(AV)  
6.5  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
250  
A
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TOP  
- 40 to + 150  
- 40 to + 175  
°C  
°C  
TSTG  
Junction temperature in DC forward current  
without reverse bias, t 1 h  
(3)  
TJ  
200  
°C  
Notes  
(1)  
(2)  
(3)  
With heatsink  
With heatsink, free air  
Meets the requirements of IEC 61215 ed. 2 bypass diode thermal test  
Revision: 06-Jul-12  
Document Number: 89391  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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