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VSB2045Y-M3/54

更新时间： 2024-11-07 15:57:43

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威世 - VISHAY		功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
5页	88K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6.5A, 45V V(RRM), Silicon,

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VSB2045Y-M3/54 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	1.68
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.58 V
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	250 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	6.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压：	45 V	最大反向电流：	1200 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VSB2045Y-M3/54 数据手册

VSB2045Y-M3

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Photovoltaic Solar Cell Protection Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.30 V at I_F= 5.0 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

TMBS^®

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• High forward surge capability

• ESD capability

P600

• High junction temperature 230 °C maximum at DC

forward current

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

PRIMARY CHARACTERISTICS

TYPICAL APPLICATIONS

I_F(AV)

20 A

45 V

For use in solar cell junction box as a bypass diode for

protection, using DC forward current without reverse bias.

V_RRM

I_FSM

250 A

V_Fat I_F= 20 A

0.42 V

150 °C

230 °C

P600

MECHANICAL DATA

_OPmax. (AC mode)

Case: P600

T_Jmax. (DC forward current)

Package

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-M3

halogen-free, RoHS-compliant, and

Diode variation

Single die

commercial grade

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VSB2045Y

V2045Y

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

(1)

I_F(DC)

Maximum average forward rectified current (fig. 1)

(2)

I_F(DC)

6.5

Peak forward surge current 8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

I_FSM

250

Operating junction temperature range

Storage temperature range

T_OP

-40 to +150

-40 to +175

°C

T_STG

Junction temperature in DC forward current

without reverse bias, t  1 h

(1)

T_J

 230

°C

Notes

(1)

With heatsink

Without heatsink, free air

(2)

Revision: 04-Dec-13

Document Number: 89960

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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