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VSB2200S-M3/54

更新时间： 2024-02-11 00:31:21
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 76K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN

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VSB2200S-M3/54 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.23 V
JEDEC-95代码：DO-204ALJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：40 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

VSB2200S-M3/54 数据手册

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VSB2200S  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
DO-204AL (DO-41)  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectifier of switching mode power  
supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters or polarity  
protection application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
2.0 A  
200 V  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-204AL (DO-41)  
40 A  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
VF at IF = 2.0 A  
TJ max.  
0.65 V  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
150 °C  
commercial grade  
Package  
DO-204AL (DO-41)  
Single  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
Diode variations  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
VSB2200S  
200  
UNIT  
Max. repetitive peak reverse voltage  
Max. average forward rectified current (fig. 1) (1)  
V
A
2.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
40  
A
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 40 to + 150  
Note  
(1)  
Units mounted on PCB with 2 mm x 2 mm copper pad areas 0.375” (9.5 mm) lead length, free air  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
TYP.  
MAX.  
-
UNIT  
Breakdown voltage  
I
R = 1.0 mA  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
TA = 125 °C  
TA = 25 °C  
TA = 125 °C  
VBR  
200 (min.)  
0.97  
0.65  
0.8  
1.23  
0.73  
40  
V
Instantaneous forward voltage (1)  
IF = 2.0 A  
VF  
μA  
mA  
pF  
Reverse current per diode (2)  
Typical juntion capacitance  
VR = 200 V  
IR  
0.6  
4
4.0 V, 1 MHz  
CJ  
110  
-
Notes  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Pulse test: Pulse width 40 ms  
(2)  
Revision: 13-Aug-13  
Document Number: 89142  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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