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VS-ETH1506FP-M3

更新时间： 2024-10-29 12:27:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
9页 203K
描述
Hyperfast Rectifier, 15 A FRED Pt®

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VS-ETH1506FP-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.8
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY HIGH POWER
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.6 VJEDEC-95代码：TO-220
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：160 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.036 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-ETH1506FP-M3 数据手册

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VS-ETH1506-M3, VS-ETH1506FP-M3  
Vishay Semiconductors  
Hyperfast Rectifier, 15 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyperfast soft recovery time  
• Low forward voltage drop  
• 175 °C operating junction temperature  
• Low leakage current  
• Fully isolated package (VINS = 2500 VRMS  
• True 2 pin package  
)
2L TO-220AC  
2L TO-220 FULL-PAK  
Base  
cathode  
2
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47  
1
3
1
2
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
Cathode  
Anode  
Cathode  
Anode  
Hyperfast recovery rectifiers designed with optimized  
performance of forward voltage drop, hyperfast recovery  
time, and soft recovery.  
VS-ETH1506-M3  
VS-ETH1506FP-M3  
PRODUCT SUMMARY  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
Package  
2L TO-220AC, 2L TO-220FP  
IF(AV)  
15 A  
600 V  
VR  
These devices are intended for use in PFC boost stage in the  
AC/DC section of SMPS, inverters or as freewheeling  
diodes.  
VF at IF  
2.45 V  
21 ns  
trr (typ.)  
TJ max.  
Diode variation  
The extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
175 °C  
Single die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
VRRM  
600  
V
TC = 149 °C  
C = 94 °C  
TJ = 25 °C  
Average rectified forward current in DC  
IF(AV)  
15  
FULL-PAK  
T
A
Non-repetitive peak surge current  
IFSM  
160  
Operating junction and storage temperatures  
TJ, TStg  
- 65 to 175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 15 A  
600  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
1.8  
1.25  
0.01  
20  
2.45  
1.6  
15  
200  
-
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 15 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
12  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8
-
Document Number: 93522  
Revision: 11-Mar-11  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
This datasheet is subject to change without notice.  
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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与VS-ETH1506FP-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-ETH1506-M3 VISHAY

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 		DIODE 15 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PAC
VS-ETH1506SHM3 VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-ETH1506S-M3 VISHAY

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 		DIODE 15 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
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