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VS-8ETXFP06PBF

更新时间： 2024-09-18 21:19:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网瞄准线
页数 文件大小 规格书
7页 119K
描述
DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220, ROHS COMPLIANT, FULL PACK-2, Rectifier Diode

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VS-8ETXFP06PBF 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, LOW LEAKAGE CURRENT, UL RECOGNIZED应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220JESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：110 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.024 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

VS-8ETXFP06PBF 数据手册

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VS-8ETX06PbF, VS-8ETX06FPPbF  
Vishay Semiconductors  
Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyperfast recovery time  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
TO-220AC  
Base  
cathode  
TO-220 FULL-PAK  
• 175 °C operating junction temperature  
• Fully isolated package (VINS = 2500 VRMS  
• UL E78996 approved  
)
2
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• Designed and qualified for industrial level  
1
1
Cathode  
3
3
Anode  
Cathode  
Anode  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
8ETX06PbF  
8ETX06FPPbF  
State of the art hyperfast recovery rectifiers designed with  
optimized performance of forward voltage drop, hyperfast  
recover time, and soft recovery.  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
These devices are intended for use in PFC boost stage in the  
ac-to-dc section of SMPS, inverters or as freewheeling  
diodes.  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-220AC, TO-220FP  
IF(AV)  
8 A  
600 V  
VR  
VF at IF  
3.0 V  
trr (typ.)  
TJ max.  
Diode variation  
15 ns  
175 °C  
Single die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
600  
V
TC = 143 °C  
Average rectified forward current  
IF(AV)  
8
FULL-PAK  
TC = 106 °C  
A
Non-repetitive peak surge current  
Repetitive peak forward current  
IFSM  
IFM  
TJ = 25 °C  
110  
18  
Operating junction and storage temperatures  
TJ, TStg  
- 65 to 175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 8 A  
600  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
2.3  
1.4  
0.3  
35  
3.0  
1.7  
50  
500  
-
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 8 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
17  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 94032  
Revision: 29-Jun-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-8EVH06HM3 VISHAY

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 		Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt?
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VS-8EWF02S-M3, VS-8EWF04S-M3, VS-8EWF06S-M3 VISHAY

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 		Surface Mount Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 8 A
VS-8EWF02SM-M3 VISHAY

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 		Surface Mount Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 8 A
VS-8EWF02STRL-M3 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA

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