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VS-30CTQ040STRL-M3

更新时间： 2024-11-07 14:07:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 184K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-30CTQ040STRL-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.76 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：265 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向电流：2000 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-30CTQ040STRL-M3 数据手册

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VS-30CTQ...S-M3, VS-30CTQ...-1-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
D2PAK  
TO-262  
• 175 °C TJ operation  
• Center tap configuration  
• Very low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VS-30CTQ...S-M3  
VS-30CTQ...-1-M3  
DESCRIPTION  
The VS-30CTQ... center tap Schottky rectifier has been  
optimized for very low forward voltage drop, with moderate  
PRODUCT SUMMARY  
leakage. The proprietary barrier technology allows for  
reliable operation up to 175 °C junction temperature. Typical  
applications are in switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, and reverse battery protection.  
IF(AV)  
2 x 15 A  
35 V to 45 V  
VR  
VF at IF  
IRM  
0.56 V  
15 mA at 125 °C  
175 °C  
TJ max.  
EAS  
20 mJ  
Package  
Diode variation  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
Common cathode  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
30  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
35 to 45  
1060  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
15 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.56  
V
TJ  
-55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-30CTQ035S-M3  
VS-30CTQ040S-M3  
VS-30CTQ045S-M3  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
VS-30CTQ035-1-M3 VS-30CTQ040-1-M3 VS-30CTQ045-1-M3  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
40  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
Revision: 26-Feb-14  
Document Number: 94933  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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与VS-30CTQ040STRL-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-30CTQ040STRLPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 40V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
VS-30CTQ040STRRHM3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-30CTQ040STRR-M3 VISHAY

获取价格

 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A
VS-30CTQ040STRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 40V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
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 		High frequency operation
VS-30CTQ045-N3 VISHAY

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 		Schottky Rectifier

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