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VS-25TTS08FP-M3

更新时间： 2024-09-23 15:57:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 199K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 800V V(DRM),

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VS-25TTS08FP-M3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.13标称电路换相断开时间：110 µs
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：60 mA
最大直流栅极触发电压：2.5 V最大维持电流：100 mA
JESD-609代码：e3最大漏电流：10 mA
通态非重复峰值电流：350 A最大通态电流：16000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE断态重复峰值电压：800 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

VS-25TTS08FP-M3 数据手册

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VS-25TTS..PbF Series, VS-25TTS..-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 25 A  
FEATURES  
2
(A)  
• Designed  
and  
qualified  
according  
to  
JEDEC®-JESD 47  
• 125 °C max. operating junction temperature  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
3
2
1 (K)  
(G) 3  
1
TO-220AB  
Available  
APPLICATIONS  
• Typical usage is in input rectification crowbar (soft start)  
and AC switch in motor control, UPS, welding, and battery  
charge.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IT(AV)  
16 A  
V
DRM/VRRM  
800 V, 1200 V  
1.25 V  
DESCRIPTION  
VTM  
The VS-25TTS... high voltage series of silicon controlled  
rectifiers are specifically designed for medium power  
switching and phase control applications. The glass  
passivation technology used has reliable operation up to  
125 °C junction temperature.  
IGT  
45 mA  
TJ  
-40 °C to 125 °C  
TO-220AB  
Single SCR  
Package  
Circuit configuration  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C,  
common heatsink of 1 °C/W  
18  
22  
A
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
16  
UNITS  
IT(AV)  
Sinusoidal waveform  
A
IRMS  
25  
V
RRM/VDRM  
ITSM  
VT  
800/1200  
320  
V
A
16 A, TJ = 25 °C  
1.25  
V
dV/dt  
dI/dt  
TJ  
500  
V/µs  
A/µs  
°C  
150  
-40 to 125  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
VDRM, MAXIMUM PEAK  
DIRECT VOLTAGE  
V
IRRM/IDRM  
AT 125 °C  
mA  
PART NUMBER  
VS-25TTS08PbF, VS-25TTS08-M3  
VS-25TTS12PbF, VS-25TTS12-M3  
800  
800  
10  
1200  
1200  
Revision: 27-Sep-17  
Document Number: 94385  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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VS-25TTS08FP-M3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 Thyristor High Voltage, Phase Control SCR,

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-25TTS08FP-M3, VS-25TTS12FP-M3 VISHAY

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 		High Voltage Phase Control Thyristor, 25 A
VS-25TTS08FPPBF VISHAY

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 		Thyristor High Voltage, Phase Control SCR,
VS-25TTS08-M3 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-263AB,
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