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VS-20ETS12STRR-M3

更新时间： 2024-11-15 01:22:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压二极管
页数 文件大小 规格书
7页 181K
描述
High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 20 A

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VS-20ETS12STRR-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5.33
应用：HIGH VOLTAGE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向电流：100 µA表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30

VS-20ETS12STRR-M3 数据手册

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VS-20ETS08S-M3, VS-20ETS12S-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 20 A  
FEATURES  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 260 °C  
Base  
cathode  
2
• Glass passivated pellet chip junction  
• Designed and qualified according to  
JEDEC®-JESD 47  
2
3
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
1
3
1
TO-263AB (D2PAK)  
Anode  
Anode  
APPLICATIONS  
• Input rectification  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-263AB (D2PAK)  
20 A  
• Vishay Semiconductors switches and output rectifiers  
which are available in identical package outlines  
IF(AV)  
VR  
800 V, 1200 V  
1.1 V  
DESCRIPTION  
VF at IF  
IFSM  
The VS-20ETS...S-M3 rectifier High Voltage Series has been  
optimized for very low forward voltage drop, with moderate  
leakage. The glass passivation technology used has reliable  
operation up to 150 °C junction temperature.  
300 A  
TJ max.  
Diode variation  
150 °C  
Single die  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C  
common heatsink of 1 °C/W  
16.3  
21  
A
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
20  
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
800/1200  
300  
A
VF  
20 A, TJ = 25 °C  
1.1  
V
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRSM, MAXIMUM  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
NON-REPETITIVE PEAK REVERSE  
I
RRM AT 150 °C  
PART NUMBER  
VOLTAGE  
V
mA  
VS-20ETS08S-M3  
VS-20ETS12S-M3  
800  
900  
1
1200  
1300  
Revision: 12-Feb-16  
Document Number: 94889  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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VS-20ETS12STRR-M3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-20ETS12S-M3 VISHAY

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

与VS-20ETS12STRR-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-20ETS12STRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COM
VS-20ETS12THM3 VISHAY

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 		Rectifier Diode,
VS-20ETS16-M3 VISHAY

获取价格

 		High Voltage, Input Rectifier Diode, 20 A
VS-20ETS16PBF VISHAY

获取价格

 		DIODE 20 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2,
VS-20ETS16THM3 VISHAY

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 		Rectifier Diode,
VS-20ETSFPPBF VISHAY

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 		High Voltage, Input Rectifier Diode, 20 A
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VS-20L15T-M3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 20 A
VS-20L15T-N3 VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-20L15TPBF VISHAY

获取价格

 		Optimized for OR-ing applications

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