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VS-20ETF12THM3

更新时间： 2024-11-14 19:58:03

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	223K
描述
Rectifier Diode,

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VS-20ETF12THM3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.6	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VS-20ETF12THM3 数据手册

VS-20ETF12THM3

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 20 A

FEATURES

Base

cathode

• Glass passivated pellet chip junction

• AEC-Q101 qualified

• Meets JESD 201 class 1A whisker test

• Flexible solution for reliable AC power

rectification

Cathode

Anode

• High surge, low V_Frugged blocking diode

for DC charging stations

2L TO-220AC

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

20 A

1200 V

1.31 V

320 A

95 ns

150 °C

0.6

APPLICATIONS

V_R

• On-board and off-board EV/HEV battery chargers

• Input rectification

V_Fat I_F

I_FSM

t_rr

DESCRIPTION

T_Jmax.

Snap factor

The VS-20ETF12THM3 fast soft recovery rectifier series has

been optimized for combined short reverse recovery time

and low forward voltage drop. 

Package

2L TO-220AC

Single

Circuit configuration

The glass passivation ensures stable reliable operation in

the most severe temperature and power cycling conditions.

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

SYMBOL

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

t_rr

CHARACTERISTICS

VALUES

1200

UNITS

Sinusoidal waveform

320

1 A, 100 A/μs

20 A, T_J= 25 °C

Range

V_F

1.31

T_J

-40 to +150

°C

VOLTAGE RATINGS

PART NUMBER

V_RRM, MAXIMUM PEAK

REVERSE VOLTAGE

V_RSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE

I_RRM

AT 150 °C

PEAK REVERSE VOLTAGE

VS-20ETF12THM3

1200

1300

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum average forward current

I_F(AV)

T_C= 113 °C, 180° conduction half sine wave

10 ms sine pulse, rated V_RRMapplied

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

10 ms sine pulse, rated V_RRMapplied

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied

270

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

I_FSM

320

365

Maximum I²t for fusing

I²t

A²s

515

Maximum I²t for fusing

I²t

5150

A²s

Revision: 06-Jul-2018

Document Number: 96535

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VS-20ETFFP-M3	VISHAY	获取价格	Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 20 A
VS-20ETFFPPBF	VISHAY	获取价格	Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 20 A
VS-20ETFPBF	VISHAY	获取价格	Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 20 A
VS-20ETFSPBF	VISHAY	获取价格	Surface Mount Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 20 A
VS-20ETS..-M3	VISHAY	获取价格	High Voltage, Input Rectifier Diode, 20 A
VS-20ETS08FP-M3	VISHAY	获取价格	High Voltage, Input Rectifier Diode, 20 A
VS-20ETS08FPPBF	VISHAY	获取价格	DIODE GP 800V 20A TO220ACFP
VS-20ETS08-M3	VISHAY	获取价格	DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-20ETS08PBF	VISHAY	获取价格	DIODE 20 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2,
VS-20ETS08S-M3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 800V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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