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VS-20ETS08STRLPBF

更新时间： 2024-11-14 15:57:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压大电源高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
7页 175K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMD-220, D2PAK-3

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VS-20ETS08STRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：7.86
应用：HIGH VOLTAGE HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：300 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

VS-20ETS08STRLPBF 数据手册

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VS-20ETS08SPbF, VS-20ETS12SPbF  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 20 A  
FEATURES  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 260 °C  
Base  
cathode  
2
• Glass passivated pellet chip junction  
• Designed and qualified according to  
JEDEC®-JESD 47  
2
3
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
1
3
1
TO-263AB (D2PAK)  
Anode  
Anode  
APPLICATIONS  
• Input rectification  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-263AB (D2PAK)  
20 A  
• Vishay Semiconductors switches and output rectifiers  
which are available in identical package outlines  
IF(AV)  
VR  
800 V, 1200 V  
1.1 V  
DESCRIPTION  
VF at IF  
IFSM  
The VS-20ETS...SPbF rectifier High Voltage Series has been  
optimized for very low forward voltage drop, with moderate  
leakage. The glass passivation technology used has reliable  
operation up to 150 °C junction temperature.  
300 A  
TJ max.  
Diode variation  
150 °C  
Single die  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C  
common heatsink of 1 °C/W  
16.3  
21  
A
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
20  
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
800/1200  
300  
A
VF  
20 A, TJ = 25 °C  
1.1  
V
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK REVERSE VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
I
RRM AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
VOLTAGE  
V
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-20ETS08SPbF  
VS-20ETS12SPbF  
800  
900  
1
1200  
1300  
Revision: 12-Feb-16  
Document Number: 94340  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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VS-20ETS08STRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-20ETS08STRRPBF VISHAY

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
VS-20ETS08SPBF VISHAY

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMP

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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VS-20ETS08STRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
VS-20ETS12FP-M3 VISHAY

获取价格

 		High Voltage, Input Rectifier Diode, 20 A
VS-20ETS12FPPBF VISHAY

获取价格

 		DIODE GP 1200V 20A TO220ACFP
VS-20ETS12-M3 VISHAY

获取价格

 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-20ETS12PBF VISHAY

获取价格

 		DIODE 20 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2,
VS-20ETS12S-M3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-20ETS12SPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COM
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