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VS-12CTQ035STRL-M3

更新时间： 2024-11-07 22:57:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 213K
描述
DIODE SCHOTTKY 35V 6A D2PAK

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VS-12CTQ035STRL-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：5.41其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.73 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：140 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：35 V最大反向电流：800 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40

VS-12CTQ035STRL-M3 数据手册

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VS-12CTQ...S-M3, VS-12CTQ...-1-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 6 A  
FEATURES  
• 175 °C TJ operation  
• Center tap configuration  
• Low forward voltage drop  
2
• High  
purity,  
high  
temperature  
epoxy  
1
encapsulation for enhanced mechanical strength and  
moisture resistance  
1
3
2
D2PAK (TO-263AB)  
3
TO-262AA  
• High frequency operation  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
2
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 245 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
VS-12CTQ...-1-M3  
VS-12CTQ...S-M3  
DESCRIPTION  
The VS-12CTQ... center tap Schottky rectifier series has  
been optimized for low reverse leakage at high temperature.  
The proprietary barrier technology allows for reliable  
operation up to 175 °C junction temperature. Typical  
applications are in switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, and reverse battery protection.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 6 A  
VR  
35 V, 40 V, 45 V  
0.53 V  
VF at IF  
RM max.  
I
7.0 mA at 125 °C  
175 °C  
TJ max.  
EAS  
8 mJ  
Package  
D2PAK (TO-263AB), TO-262AA  
Circuit configuration  
Common cathode  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
12  
UNITS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
Rectangular waveform  
A
V
Range  
35 to 45  
690  
tp = 5 μs sine  
6 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
A
0.53  
V
TJ  
-55 to +175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-12CTQ035S-M3  
VS-12CTQ040S-M3  
VS-12CTQ045S-M3  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
VS-12CTQ035-1-M3 VS-12CTQ040-1-M3 VS-12CTQ045-1-M3  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
40  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
Revision: 27-Oct-17  
Document Number: 94924  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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与VS-12CTQ035STRL-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-12CTQ035STRLPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 6A, 35V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND R
VS-12CTQ035STRR-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-12CTQ035STRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 6A, 35V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND R
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 		Center tap TO-220 package
VS-12CTQ040PBF VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-12CTQ040S-M3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
VS-12CTQ040STRL-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-12CTQ040STRLPBF VISHAY

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