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VS-12CTQ035STRRPBF

更新时间： 2024-01-01 06:14:12
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
8页 168K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 6A, 35V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, D2PAK-3

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VS-12CTQ035STRRPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.32其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.53 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：690 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：35 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-12CTQ035STRRPBF 数据手册

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VS-12CTQ...SPbF, VS-12CTQ...-1PbF Series  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 2 x 6 A  
FEATURES  
VS-12CTQ...-1PbF  
VS-12CTQ...SPbF  
• 175 °C TJ operation  
• Center tap TO-220 package  
• Low forward voltage drop  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
• High frequency operation  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
2
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• AEC-Q101 qualified  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
D2PAK  
TO-262  
DESCRIPTION  
The VS-12CTQ... center tap Schottky rectifier series has  
been optimized for low reverse leakage at high temperature.  
The proprietary barrier technology allows for reliable  
operation up to 175 °C junction temperature. Typical  
applications are in switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, and reverse battery protection.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 6 A  
VR  
35 V to 45 V  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
Rectangular waveform  
Range  
VALUES  
12  
UNITS  
A
V
35 to 45  
690  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
6 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.53  
V
TJ  
- 55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-12CTQ035SPbF  
VS-12CTQ035-1PbF VS-12CTQ040-1PbF VS-12CTQ045-1PbF  
VS-12CTQ040SPbF  
VS-12CTQ045SPbF  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
40  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
6
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 160 °C, rectangular waveform  
A
per device  
12  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current per leg  
See fig. 7  
Following any rated load  
condition and with rated  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
690  
A
140  
IFSM  
VRRM applied  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 1.20 A, L = 11.10 mH  
8
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1.20  
Document Number: 94131  
Revision: 12-Mar-10  
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
12345678

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与VS-12CTQ035STRRPBF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
VS-12CTQ040-1-M3 VISHAY Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-262AA,

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VS-12CTQ040-1PBF VISHAY Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 6A, 40V V(RRM), Silicon, TO-262AA, HALOGEN

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VS-12CTQ040-N3 VISHAY Center tap TO-220 package

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VS-12CTQ040PBF VISHAY DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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VS-12CTQ040S-M3 VISHAY Low forward voltage drop

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VS-12CTQ040STRL-M3 VISHAY Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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