Datasheet > VP2106N3-GP005

VP2106N3-GP005

更新时间： 2024-01-12 00:07:50

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		输入元件开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	626K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VP2106N3-GP005 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.46
其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.25 A
最大漏源导通电阻：	12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	8 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

VP2106N3-GP005 数据手册

VP2106

Typical Performance Curves (cont.)

Output Characteristics

Saturation Characteristics

-2.0

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

V_GS= -10V

-9V

-1.6

-8V

-1.2

V_GS= -10V

-7V

-9V

-8V

-0.8

-0.4

-6V

-5V

-7V

-6V

-5V

-4V

-3V

-10

-20

-30

-40

-50

-2.0

-4.0

-6.0

-8.0

-10

V_DS(volts)

Transconductance vs. Drain Current

Power Dissipation vs. Ambient Temperature

1.0

250

200

150

100

V_DS= 25V

_A= -55^OC

TO-92

25^OC

0.5

125^OC

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-10

100

125

150

T_A(^OC)

I_D(amperes)

Maximum Rated Safe Operating Area

Thermal Response Characteristics

-1.0

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

TO-92 (pulsed)

TO-92 (DC)

-0.1

-0.01

TO-92

P_D= 1.0W

T_A= 25^OC

-0.001

-0.1

-1.0

-10

-100

0.001

0.01

0.1

1.0

V_DS(volts)

t_P(seconds)

Doc.# DSFP-VP2106

C082313

Supertex inc.

www.supertex.com

1 2 345

中文翻译

下载PDF

与VP2106N3-GP005相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VP2106N3-GP013	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
VP2106N3-GP014	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
VP2106N3P001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P006	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P008	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P011	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P012	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P014	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P016	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P017	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta