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VP2106N3-GP005

更新时间： 2024-01-26 18:26:35

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美国微芯 - MICROCHIP		输入元件开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	626K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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VP2106N3-GP005 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.46
其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.25 A
最大漏源导通电阻：	12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	8 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

VP2106N3-GP005 数据手册

VP2106

Typical Performance Curves

BV_DSSVariation with Temperature

On-Resistance vs. Drain Current

-1.1

8.0

6.0

4.0

2.0

V_GS= -5.0V

-1.0

V_GS= -10V

-0.9

-50

100

150

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

T_j(^OC)

I_D(amperes)

V_(th)and R_DSVariation with Temperature

Transfer Characteristics

-1.0

2.0

V_DS= -25V

1.4

T_A= -55^OC

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

1.6

R_DS(ON)@ -10V. 0.5A

1.2

1.0

25^OC

0.8

0.6

V_(th)@ 1.0mA

125^OC

0.4

-2.0

-4.0

-6.0

-8.0

-10

-50

100

150

T_j(^OC)

V_GS(volts)

Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage

Gate Drive Dynamic Characteristics

-10

100

f = 1.0MHz

-8.0

-6.0

-4.0

-2.0

V_DS= -10V

V_DS= -40V

101 pF

C_ISS

C_OSS

35 pF

C_RSS

-10

-20

-30

-40

1.0

2.0

Q_G(nanocoulombs)

V_DS(volts)

Doc.# DSFP-VP2106

C082313

Supertex inc.

www.supertex.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VP2106N3-GP013	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
VP2106N3-GP014	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
VP2106N3P001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P006	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P008	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P011	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P012	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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