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VP2106N3P014

更新时间: 2024-02-23 11:59:07
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 120K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

VP2106N3P014 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.7Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):0.25 A最大漏源导通电阻:12 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):8 pF
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:1 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

VP2106N3P014 数据手册

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