VP2106N3

更新时间： 2024-02-16 00:51:09

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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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VP2106N3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	7.87
其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.25 A
最大漏源导通电阻：	12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	8 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

VP2106N3 数据手册

VP2106/VP2110

Typical Performance Curves

BV_DSSVariation with Temperature

On-Resistance vs. Drain Current

-1.1

= -5V

-1.0

= -10V

-0.9

-50

100

150

-50

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

_D(amperes)

T_j(°C)

Transfer Characteristics

V_(th)and R_DSVariation with Temperature

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

= -25V

= -55°C

@ -10V, 0.5A

DS(ON)

25°C

125°C

@ 1mA

(th)

-2

-4

-6

-8

-10

100

150

V_GS(volts)

T_j(°C)

Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage

f = 1MHz

Gate Drive Dynamic Characteristics

100

-10

-8

V_DS= -10V

V_DS

= -40V

-6

101 pF

-4

C_ISS

-2

35 pF

C_OSS

C_RSS

-10

-20

-30

-40

1.0

2.0

Q_G(nanocoulombs)

V_DS(volts)

11/12/01

1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089

TEL: (408) 744-0100 • FAX: (408) 222-4895

www.supertex.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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VP2106N3-GP003	MICROCHIP	Small Signal Field-Effect Transistor,	获取价格
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