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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> VP2106N3
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VP2106N3

更新时间： 2024-01-13 01:39:07
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX /
页数 文件大小 规格书
4页 457K
描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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VP2106N3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：7.87
其他特性：HIGH INPUT IMPEDANCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.25 A
最大漏源导通电阻：12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：8 pFJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

VP2106N3 数据手册

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VP2106/VP2110  
Typical Performance Curves  
Output Characteristics  
Saturation Characteristics  
-2.0  
-1.0  
-0.8  
-0.6  
-0.4  
-0.2  
-0  
V
= -10V  
GS  
-1.6  
-1.2  
-9V  
-8V  
V
= -10V  
GS  
-7V  
-9V  
-8V  
-0.8  
-0.4  
0
-6V  
-5V  
-7V  
-6V  
-4V  
-3V  
-5V  
-4V  
0
-2  
-4  
-6  
-8  
-10  
0
-10  
-20  
-30  
-40  
-50  
VDS (volts)  
Transconductance vs. Drain Current  
T = -55°C  
VDS (volts)  
Power Dissipation vs. Ambient Temperature  
1.0  
0.5  
0
250  
200  
150  
100  
50  
A
V
= 25V  
DS  
TO-92  
T
= 25°C  
A
T
= 125°C  
A
TO-236AB  
0
0
-0.2  
-0.4  
-0.6  
-0.8  
-1.0  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
ID (amperes)  
TA (°C)  
Maximum Rated Safe Operating Area  
Thermal Response Characteristics  
-1.0  
-0.1  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
TO-92 (pulsed)  
TO-236AB (pulsed)  
TO-236AB  
P
T
= 0.36W  
D
A
TO-92 (DC)  
= 25°C  
TO-236AB (DC)  
-0.01  
TO-92  
P
T
= 1.0W  
D
A
= 25°C  
T
= 25°C  
A
-0.001  
-0.1  
-1.0  
-10  
-100  
0.001  
0.01  
0.1  
1.0  
10  
VDS (volts)  
tp (seconds)  
3
1234

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与VP2106N3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VP2106N3-G SUPERTEX

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3-GP002 MICROCHIP

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 		SMALL SIGNAL, FET
VP2106N3-GP003 MICROCHIP

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
VP2106N3-GP005 MICROCHIP

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
VP2106N3-GP013 MICROCHIP

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 		SMALL SIGNAL, FET
VP2106N3-GP014 MICROCHIP

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 		SMALL SIGNAL, FET
VP2106N3P001 SUPERTEX

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P006 SUPERTEX

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P008 SUPERTEX

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
VP2106N3P011 SUPERTEX

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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