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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 7.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 50 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 130 ns | 最大开启时间（吨）： | 60 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VP0345ND | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| VP0350 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| VP0350N | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| VP0350N1 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| VP0350N2 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| VP0350N5 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| VP0350ND | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 500V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| VP03650400J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
| VP03650700J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
| VP03652800J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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