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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 50 pF | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 6 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 6 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VP0350N5 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| VP0350ND | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 500V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| VP03650400J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP03650700J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP03652800J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VP03653800J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| VP03658400J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, |
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| VP03658800J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, |
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| VP03659500J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| VP03854400J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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