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VNS3NV04D13TR

更新时间： 2024-01-02 13:49:16

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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14页	249K
描述
OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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VNS3NV04D13TR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.86
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
长度：	4.9 mm	功能数量：	2
端子数量：	8	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
断开时间：	10 µs	接通时间：	1.35 µs
宽度：	3.9 mm

VNS3NV04D13TR 数据手册

VNS3NV04D

“OMNIFET II”:

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

TYPE

clamp

DS(on)

lim

VNS3NV04D 120 mΩ (*)

3.5 A (*)

40 V (*)

(*)Per each device

LINEAR CURRENT LIMITATION

THERMAL SHUT DOWN

SHORT CIRCUIT PROTECTION

INTEGRATED CLAMP

LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN

DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT

SO-8

ESD PROTECTION

DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE

POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)

COMPATIBLE WITH STANDARD POWER

MOSFET

applications. Built in thermal shutdown, linear

current limitation and overvoltage clamp protects

the chip in harsh environments.

Fault feedback can be detected by monitoring the

voltage at the input pin.

DESCRIPTION

The VNS3NV04D is a device formed by two

monolithic OMNIFET II chips housed in

standard SO-8 package. The OMNIFET II are

designed in STMicroelectronics VIPower M0-3

Technology: they are intended for replacement of

standard Power MOSFETS from DC up to 50KHz

BLOCK DIAGRAM

DRAIN2

DRAIN1

OVERVOLTAGE

CLAMP

OVERVOLTAGE

CLAMP

INPUT2

GATE

CONTROL

INPUT1

GATE

CONTROL

LINEAR

CURRENT

OVER

LIMITER

TEMPERATURE

SOURCE2

SOURCE1

February 2003

1/14

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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