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VN06-12-E

更新时间： 2024-09-18 21:20:35

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
9页	147K
描述
IC,PERIPHERAL DRIVER,1 DRIVER,ZIP,5PIN,PLASTIC

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VN06-12-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ZIP, ZIP5,.15,.17,67TB
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.75
驱动器位数：	1	JESD-30 代码：	R-PZIP-T5
JESD-609代码：	e3	端子数量：	5
最大输出电流：	1.9 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	ZIP	封装等效代码：	ZIP5,.15,.17,67TB
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	13 V
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Peripheral Drivers
标称供电电压：	13 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.7 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

VN06-12-E 数据手册

VN06SP

HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_n(*)

V_CC

VN06SP

60 V

0.18 Ω

1.9 A

26 V

■

MAXIMUM CONTINUOUS OUTPUT

CURRENT (#):9 A @ T_c=85^oC

■

5 V LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT

THERMAL SHUT-DOWN

UNDER VOLTAGE PROTECTION

OPEN DRAIN DIAGNOSTIC OUTPUT

INDUCTIVE LOAD FAST

DEMAGNETIZATION

■

VERY LOW STAND-BY POWER

DISSIPATION

PowerSO-10™

DESCRIPTION

The VN06SP is a monolithic device made using

STMicroelectronics

VIPower

Technology,

intended for driving resistive or inductive loads

with one side grounded.

Built-in thermal shut-down protects the chip from

over temperature and short circuit.

The open drain diagnostic output indicates: open

load in off state, and in on state, output shorted to

V_CCand overtemperature. Fast demagnetization

of inductive loads is archivied by negative (-18V)

load voltage at turn-off.

(*) In = Nominal current according to ISO definition for high side automotive switch (see note 1)

(#) The maximum continuous output current is the the current at T_c= 85 ^oC for a battery voltage of 13V which does not activate self

protection.

1/9

3EPTEMBER ꢀꢁꢂꢃ

12 3 4 5 6 7...9

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与VN06-12-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VN0635	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN0635N2	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN0635N3P001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0635N3P002	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0635N3P005	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0635N3P007	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0635N3P011	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0635N3P014	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0635N5	SUPERTEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 350V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN0640	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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