VN0645N2

更新时间： 2024-02-29 23:59:21

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超科 - SUPERTEX		晶体小信号场效应晶体管开关输入元件
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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VN0645N2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-39	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	450 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.4 A
最大漏极电流 (ID)：	0.4 A	最大漏源导通电阻：	16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	20 pF
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	6 W	最大功率耗散 (Abs)：	6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

VN0645N2 数据手册

VN0645

VN0650

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

Order Number / Package

BV_DSS

R_DS(ON)

(max)

I_D(ON)

(min)

BV_DGS

TO-39

TO-92

—

Die^†

450V

16Ω

0.5A

VN0645N2

—

500V

VN0650N3

VN0650ND

†

MIL visual screening available

High Reliability Devices

See pages 5-4 and 5-5 for MILITARY STANDARD Process

Flows and Ordering Information.

Advanced DMOS Technology

The VN0650 is NOT recommended for new designs. Please

use VN2450 instead.

These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a

vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces devices with

the power handling capabilities of bipolar transistors and with the

high input impedance and positive temperature coefficient inher-

ent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these

devices are free from thermal runaway and thermally-induced

secondary breakdown.

Features

■ Free from secondary breakdown

■ Low power drive requirement

■ Ease of paralleling

■ Low C_ISSand fast switching speeds

■ Excellent thermal stability

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast

switching speeds are desired.

■ Integral Source-Drain diode

■ High input impedance and high gain

■ Complementary N- and P-channel devices

Applications

■ Motor controls

Package Options

■ Converters

■ Amplifiers

■ Switches

■ Power supply circuits

■ Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps,

memories, displays, bipolar transistors, etc.)

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

S G D

TO-39

Case: DRAIN

BV_DSS

BV_DGS

TO-92

Drain-to-Gate Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20V

Operating and Storage Temperature

-55°C to +150°C

300°C

Soldering Temperature*

Note: See Package Outline section for dimensions.

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

7-175

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VN0645N3P001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 450V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN0645N3P002	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 450V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN0645N3P003	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 450V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN0645N3P005	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 450V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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