VMO1600-02P

更新时间： 2024-11-06 12:47:19

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
6页	508K
描述
N-Channel Enhancement Mode

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VMO1600-02P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	MODULE-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1900 A	最大漏极电流 (ID)：	1900 A
最大漏源导通电阻：	0.00165 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

VMO1600-02P 数据手册

VMO 1600-02P

PolarHT^TMModule

V_DSS= 200V

I_D80= 1600A

R_DS(on)= 1.7mW max.

N-Channel Enhancement Mode

Features

MOSFET

• PolarHT^TMtechnology

- low R_DSon

- dv/dt ruggedness

- fast intrinsic reverse diode

• Package

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 150°C

200

V_GS

- low inductive current path

- screw connection to high current main

terminals

I_D25

I_D80

T_C= 25°C

T_C= 80°C

1900

1600

I_F25

I_F80

T_C= 25°C (diode)

T_C= 80°C (diode)

1900

1600

- use of non interchangeable connectors

for auxiliary terminals possible

- Kelvin source terminals for easy drive

- isolated ceramic base plate

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min. typ. max.

Applications

• converters with high power density for

- main & aux. AC drives of electric vehicles

- DC drives

R_DSon

V_GS= 10 V; I_D= 1600 A;

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

1.58

3.25

1.7

3.6

- power supplies

V_GS(th)

I_DSS

V_DS= 20 V; I_D= 5 mA

V_DS= V_DSS; V_GS= 0 V;

2.5

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.5

5.0

I_GSS

V_GS

20 V; V_DS= 0 V

µA

Q_g

Q_gs

Q_gd

2900

600

1600

V_GS= 10 V; V_DS= 0.5·V_DSS; I_D= I_D80

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

E_rec

320

1220

620

700

inductive load

V_GS= 10 V; V_DS= 100 V

I_D= 1600 A; R_G= 1.8 Ω

T_VJ= 25°C

152

3.7

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

E_rec

340

1220

740

580

inductive load

V_GS= 10 V; V_DS= 100 V

I_D= 1600 A; R_G= 1.8 Ω

T_VJ= 125°C

147

4.9

R_thJC

R_thJH

0.03 K/W

0.037 0.056 K/W

with heat transfer paste

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20100302b

1 - 6

12 3 4 5 6

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