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VMO400-02F

更新时间： 2024-11-24 22:44:47

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描述
MegaMOSFET Module

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VMO400-02F 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CUFM-X4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	418 A	最大漏极电流 (ID)：	418 A
最大漏源导通电阻：	0.0042 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	2450 W
最大功率耗散 (Abs)：	2450 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1672 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

VMO400-02F 数据手册

MegaMOS^TMFET

Module

VMO 400-02F V_DSS= 200 V

I_D25

= 418 A

R_DS(on)= 4.2 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

200

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 10 kΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

T_K= 25°C

418

T_K= 25°C, t_P= 10 µs

1672

1 = Drain

10 = Kelvin Source

2 = Source

11 = Gate

P_D

T_C= 25°C

T_K= 25°C

2450

1640

T_J

-40 ...+150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-40 ... +125

●

International standard package

Direct Copper Bonded Al₂O₃ceramic

base plate

●

V_ISOL

50/60 Hz

I_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

●

Isolation voltage 3600 V~

Low R_DS(on)HDMOS^TMprocess

Low package inductance for high

speed switching

M_d

Mounting torque (M6)

Terminal connection torque (M5)

2.25-2.75/20-25 Nm/lb.in.

2.5-3.7/22-33 Nm/lb.in.

●

Kelvin Source contact for easy drive

Weight

typical including screws

250

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

●

AC motor speed control for electric

min.

typ. max.

vehicles

DC servo and robot drives

Switched-mode and resonant-mode

●

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 12 mA

200

●

power supplies

DC choppers

V_GS(th)

V_DS= 20 V, I_D= 120 mA

●

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V DC, V_DS= 0

±500 nA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V T_J= 25°C

V_GS= 0 V T_J= 125°C

2.5 mA

12 mA

●

Easy to mount

Space and weight savings

High power density

●

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

4.2 mΩ

●

Low losses

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYSCorporation

3540 Bassett Street, Santa Clara,CA 95054

Tel: 408-982-0700 Fax: 408-496-0670

IXYSSemiconductor

Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany

Tel: +49-6206-5030 Fax: +49-6206-503629

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VMO500-02F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 200V V(BR)DSS \| 500A I(D)
VMO550-01F	IXYS	获取价格	HiPerFET MOSFET Module
VMO580-02F	IXYS	获取价格	HipPerFETTM Module
VMO580-02T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 580A I(D), 200V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
VMO580-02T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 580A I(D), 200V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
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VMO650-01F	IXYS	获取价格	HiPerFET-TM MOSFET Module
VMO80-05P1	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 500V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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